據工商時(shí)報消息，蘋(píng)果 A14 及 A14X 處理器已在臺積電采用 5nm 制程量產(chǎn)，預期明年會(huì )推出新款桌面計算機 A14T 處理器及蘋(píng)果自行開(kāi)發(fā)繪圖處理器(GPU)，同樣采用臺積電 5nm 制程投片。據供應鏈業(yè)者消息，蘋(píng)果已著(zhù)手進(jìn)行新一代 A15 系列處理器開(kāi)發(fā)，預期會(huì )采用臺積電 5nm 加強版(N5P)制程，明年第三季開(kāi)始投片。

　　蘋(píng)果今年下半年推出新款 iPad 及 iPhone 12 產(chǎn)品線(xiàn)，采用自家設計的 A14 系列處理器，其中，iPad Air 及 iPhone 12 全系列都采用 A14 應用處理器，至于即將在 11 月發(fā)表的 Arm 架構 Macbook 則會(huì )采用自行研發(fā)的 A14X 處理器。蘋(píng)果 A14 以及 A14X 均已在臺積電采用 5nm 制程量產(chǎn)。

　　蘋(píng)果已宣布將推出 Apple Silicon 的 Arm 架構處理器以取代英特爾 x86 架構中央處理器。事實(shí)上，蘋(píng)果自 2010 年開(kāi)發(fā)出應用在 iPhone 及 iPad 的首款 A4 應用處理器至今，A系列芯片已經(jīng)歷 10 個(gè)世代的演進(jìn)，自有 Arm 架構芯片研發(fā)及量產(chǎn)的學(xué)習曲線(xiàn)同樣走了 10 年，運算效能及低功耗表現優(yōu)于預期，預計在二年之內把 Macbook 及 iMac 處理器轉換自家設計的 Apple Silicon。

　　除了應用于 Macbook 的首款 Apple Silicon 處理器 A14X 已采用臺積電 5nm 量產(chǎn)，根據蘋(píng)果供應鏈消息，蘋(píng)果明年將推出研發(fā)代號為 Lifuka 的首款自行研發(fā) GPU，以及研發(fā)代號為 Mt.Jade 的首款桌面計算機處理器 A14T，兩款芯片都會(huì )在明年上半年采用臺積電 5nm 制程投片。

　　蘋(píng)果研發(fā)團隊近期亦著(zhù)手進(jìn)行新一代 A15 系列處理器的開(kāi)發(fā)，其中，應用在蘋(píng)果明年新款 iPhone 13 系列 5G 智能型手機的 A15 Bionic 應用處理器，預期會(huì )采用臺積電明年推出的 5nm 加強版 N5P 制程，明年第三季開(kāi)始投片，而后續包括 A15X、A15T 等第二代 Apple Silicon 亦會(huì )隨后推出，預估同樣采用臺積電 N5P 制程量產(chǎn)。

　　法人表示，蘋(píng)果 iPhone、iPad、Macbook 及 iMac 等產(chǎn)品線(xiàn)已開(kāi)始進(jìn)入 A14 系列處理器的世代交替，而且新一代 A15 系列處理器研發(fā)符合預期，明年將會(huì )成為臺積電 5nm 最大客戶(hù)。由于包括高通、博通、邁威爾、超威、聯(lián)發(fā)科等明年也會(huì )推出 5nm 產(chǎn)品，樂(lè )觀(guān)看待臺積電明年 5nm 產(chǎn)能全年維持滿(mǎn)載。

　　臺積電強攻 3nm，穩坐全球 EUV 龍頭

　　臺積電及光刻設備大廠(chǎng)艾司摩爾(ASML)于上周法人說(shuō)明會(huì )透露更多 3nm 細節。臺積電 3nm 采用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構及極紫外光(EUV)微影技術(shù)，邏輯密度與 5nm 相較將大幅增加 70%，且 EUV 光罩層數將倍增且超過(guò) 20 層。因此，臺積電積極采購 EUV 曝光機設備，未來(lái)三～五年仍將是擁有全球最大 EUV 產(chǎn)能的半導體廠(chǎng)，包括家登及崇越等供貨商可望受惠。

　　臺積電 EUV 光刻技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)且制程涵蓋7+nm、6nm、5nm。據設備業(yè)者消息，臺積電7+nm 采用 EUV 光罩層最多達四層，超威新一代 Zen 3 架構處理器預期是采用該制程量產(chǎn)。6nm 已在第四季進(jìn)入量產(chǎn)，EUV 光罩層數較7+nm 增加一層，包括聯(lián)發(fā)科、輝達、英特爾等大廠(chǎng)都將采用 6nm 生產(chǎn)新一代產(chǎn)品。

　　臺積電下半年開(kāi)始量產(chǎn) 5nm 制程，主要為蘋(píng)果量產(chǎn) A14 及 A14X 處理器，包括超威、高通、輝達、英特爾、博通、邁威爾等都會(huì )在明年之后導入 5nm 制程量產(chǎn)新一代產(chǎn)品。5nmEUV 光罩層數最多可達 14 層，所以 Fab 18 廠(chǎng)第一期至第三期已建置龐大 EUV 曝光機臺設備因應強勁需求，臺積電明年將推出 5nm 加強版 N5P 制程并導入量產(chǎn)，后年將推出 5nm 優(yōu)化后的 4nm 制程，設備業(yè)者預期 N5P 及 4nm 的 EUV 光罩層數會(huì )較 5nm 增加。

　　臺積電在日前的法說(shuō)會(huì )中宣布，3nm 研發(fā)進(jìn)度符合預期且會(huì )是另一個(gè)重大制程節點(diǎn)，與 5nm 制程相較，3nm 的邏輯密度可增加 70%，在同一功耗下可提升 15% 的運算效能，在同一運算效能下可減少 30% 功耗。3nm 制程采用的 EUV 光罩層數首度突破 20 層，業(yè)界預估最多可達 24 層。

　　ASML 執行長(cháng) Peter Wennink 在日前法說(shuō)會(huì )中指出，5nm 邏輯制程采用的 EUV 光罩層數將超過(guò) 10 層，3nm 制程采用的 EUV 光罩層數會(huì )超過(guò) 20 層，隨著(zhù)制程微縮 EUV 光罩層數會(huì )明顯增加，并取代深紫外光(DUV)多重曝光制程。

　　臺積電 5nm 及 3nm 的 EUV 光罩層數倍數增加，提供 EUV 光罩盒(EUV Pod)的家登受惠最大，今、明兩年產(chǎn)能均已被大客戶(hù)預訂一空。至于 EUV 產(chǎn)能大幅提高，代理 EUV 光阻液的崇越接單暢旺，訂單同樣排到明年下半年。
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